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Snapdragon 8 Gen 4 Benchmark zeigt 26% Performance-Sprung: Galaxy S25 Ultra, Xiaomi 15 mit effizientem 4 Ghz Chip

Ein früher Geekbench-Leak eines Snapdragon 8 Gen 4 Testsystems deutet auf einen Performance-Sprung, ein Leaker erwartet einen "effizienten Chip". (Bildquelle: Qualcomm, editiert)
Ein früher Geekbench-Leak eines Snapdragon 8 Gen 4 Testsystems deutet auf einen Performance-Sprung, ein Leaker erwartet einen "effizienten Chip". (Bildquelle: Qualcomm, editiert)
Der mit Snapdragon X Elite Power bestückte Snapdragon 8 Gen 4 dürfte demnächst auch die nächste Smartphone-Flaggschiff-Generation beflügeln und das laut Leaker bei höherer Effizienz als aktuell mit dem Snapdragon 8 Gen 3. Zumindest zeichnen Leaker und ein früher Benchmark-Leak aktuell ein ziemlich beeindruckendes Bild der 2025 Android-Elite von Samsung Galaxy S25 Ultra bis hin zu Xiaomi 15.

Dass Qualcomm erstmals nicht wie üblich auf die letzte offizielle ARM-Architektur sondern auf die selbst entwickelten beziehungsweise vom Nuvia-Startup ehemaliger Apple-Ingenieure übernommenen und erstmals im Snapdragon X Elite und Snapdragon X Plus genutzten Oryon-Kerne setzt, könnte sich tatsächlich auszahlen, wie ein erster legitimer Geekbench-Leak eines Testsystems mit Snapdragon 8 Gen 4 aktuell nahelegt. Darin arbeitet ein Mainboard mit Codename "sun" sowie ein Octacore-Chipsatz mit Dual-Cluster-Architektur. 

Das entspricht früheren Leaks zum Snapdragon 8 Gen 4, durchaus überraschend ist allerdings die hohe Taktfrequenz des Prime-Clusters mit zwei Oryon-Kernen bei 4,09 Ghz. Auch die anderen sechs Kerne sind übrigens Oryon-Kerne, sie takten aber nur mit vergleichsweise langsamen 2,78 Ghz. Als GPU wird in der Code-Ansicht des Benchmarks eine Adreno 830 gelistet. Spannend die frühen Ergebnisse, die mit 2.884 Punkten im Single-Core eine um etwa etwa 26 Prozent höhere Leistung suggerieren als aktuell etwa beim Galaxy S24 Ultra (hier bei Amazon erhältlich) mit Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy. 8.840 Punkte im Multi-Core-Test sind etwa 24 Prozent höher als unsere Ergebnisse beim aktuellen Samsung-Flaggschiff.

Der erste Geekbench-Leak eines Snapdragon 8 Gen 4 Testsystems deutet auf etwa 26 Prozent höherer Performance als beim Snapdragon 8 Gen 3.
Der erste Geekbench-Leak eines Snapdragon 8 Gen 4 Testsystems deutet auf etwa 26 Prozent höherer Performance als beim Snapdragon 8 Gen 3.

Snapdragon 8 Gen 4 soll effizienter als der Vorgänger sein

Diese Werte sind natürlich als vorläufig zu betrachten, immerhin dauert es noch mehr als zwei Monate bis der Snapdragon 8 Gen 4 im Xiaomi 15 in China Premiere feiern wird. Qualcomm hat also noch Zeit für viel Optimierung, auch in punkto Effizienz. Man könnte angesichts der hohen Taktfrequenz der zwei Primärkerne vermuten, dass Qualcomm Performance über alles stellt, auch über den Stromverbrauch. Zumindest laut dem bekannten chinesischen Leaker Digital Chat Station ist das allerdings nicht zu erwarten. 

In einem seiner jüngsten Weibo-Posts (siehe auch Screenshot unten) schreibt er, dass die Effizienz sogar höher sei als beim Snapdragon 8 Gen 3. Gleichzeitig deutet er auch Performance-Gewinne bei der selbstentwickelten GPU an, die sich im Geekbench 6 Benchmark natürlich nicht widerspiegelen. Aktuell sieht es also ganz danach aus als hätte Qualcomm für Ende 2024 beziehungsweise Anfang 2025 einen Gewinner am Start, wobei wir natürlich finale Tests der damit bestückten Android-Flaggschiffe abwarten müssen, um Galaxy S25 Ultra sowie Xiaomi 15 und Co. 2025 wirklich empfehlen zu können.

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Autor: Alexander Fagot,  5.08.2024 (Update:  5.08.2024)