Samsung: Massenproduktion von UFS-2.0-Flashspeicher mit 256 GB für Mobilgeräte gestartet
Samsung kündigte heute den Start der Massenproduktion für das industrieweit erste 256 GByte (GB) Embedded Memory auf Basis des Universal Flash Storage (UFS) Standards 2.0 für High-End-Mobilgeräte an. Das neue Embedded-Memory ist mit Leseraten von bis zu 850 MByte/s fast doppelt so schnell wie SATA basierte SSDs und mit einer Schreibgeschwindigkeit von bis zu 260 MByte/s auch etwas 3-mal schneller als leistungsfähige externe microSD-Flashspeicherkarten.
Joo Sun Choi, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics sieht mit dem High-Density UFS-Memory des südkoreanischen Branchenriesen einen Paradigmenwechsel auf dem Markt für Mobilgerätespeicher. Denn der neue Samsung Universal Flash Storage (UFS) Speicher erfüllt die Anforderungen von High-End-Smartphones hinsichtlich sehr hoher Geschwindigkeit, großer Speicherkapazität und kompakten Chipabmessungen, so Choi.
Die 256-GByte-Bausteine basieren auf V-NAND Flash-Memory-Chips von Samsung und einem speziell entwickelten, leistungsstarken Controller. Die UFS-2.0-Chips verarbeiten bis zu 45.000 und 40.000 Ein/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS) für wahlfreies Lesen respektive Schreiben. Es ist damit über zwei Mal schneller als die bisherige UFS-Speichergeneration mit 19.000 und 14.000 IOPS.
Im Ergebnis soll das neue 256-GByte-UFS beispielsweise Videos in Ultra-HD-Qualität ruckelfrei abspielen und Multitasking auf Mobilgeräten mit großem Display unterstützen, wie das Ansehen von Spielfilmen in 4K/Ultra HD auf einem geteilten Display, während der Anwender Bilddateien sucht oder Videoclips herunterlädt. Ein 256-GByte-UFS-Chip ermöglicht das Speichern von rund 47 Full-HD-Filmen. Via USB-3.0-Schnittstelle können Anwender einen 5 GByte großen Full-HD-Clip mit durchschnittlich 90 Minuten Spielzeit in 12 Sekunden übertragen.
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