Samsung kündigte heute den Start der Massenproduktion für das industrieweit erste 256 GByte (GB) Embedded Memory auf Basis des Universal Flash Storage (UFS) Standards 2.0 für High-End-Mobilgeräte an. Das neue Embedded-Memory ist mit Leseraten von bis zu 850 MByte/s fast doppelt so schnell wie SATA basierte SSDs und mit einer Schreibgeschwindigkeit von bis zu 260 MByte/s auch etwas 3-mal schneller als leistungsfähige externe microSD-Flashspeicherkarten.
Joo Sun Choi, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics sieht mit dem High-Density UFS-Memory des südkoreanischen Branchenriesen einen Paradigmenwechsel auf dem Markt für Mobilgerätespeicher. Denn der neue Samsung Universal Flash Storage (UFS) Speicher erfüllt die Anforderungen von High-End-Smartphones hinsichtlich sehr hoher Geschwindigkeit, großer Speicherkapazität und kompakten Chipabmessungen, so Choi.
Die 256-GByte-Bausteine basieren auf V-NAND Flash-Memory-Chips von Samsung und einem speziell entwickelten, leistungsstarken Controller. Die UFS-2.0-Chips verarbeiten bis zu 45.000 und 40.000 Ein/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS) für wahlfreies Lesen respektive Schreiben. Es ist damit über zwei Mal schneller als die bisherige UFS-Speichergeneration mit 19.000 und 14.000 IOPS.
Im Ergebnis soll das neue 256-GByte-UFS beispielsweise Videos in Ultra-HD-Qualität ruckelfrei abspielen und Multitasking auf Mobilgeräten mit großem Display unterstützen, wie das Ansehen von Spielfilmen in 4K/Ultra HD auf einem geteilten Display, während der Anwender Bilddateien sucht oder Videoclips herunterlädt. Ein 256-GByte-UFS-Chip ermöglicht das Speichern von rund 47 Full-HD-Filmen. Via USB-3.0-Schnittstelle können Anwender einen 5 GByte großen Full-HD-Clip mit durchschnittlich 90 Minuten Spielzeit in 12 Sekunden übertragen.