Samsung: Erstes 12 GBit LPDDR4 DRAM für Smartphones

Samsung Electronics Co. Ltd. hat nach eigenen Angaben mit der Serienproduktion des industrieweit ersten 12 GBit LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) Mobile DRAM in 20-nm-Class-Prozesstechnologie (20 bis 30 nm) begonnen. Samsung erwartet, dass das neueste LPDDR4 den Einsatz von Mobile DRAMs mit hoher Speicherkapazität weltweit wesentlich vorantreibt.

Hinsichtlich Speicherkapazität und Geschwindigkeit übertrifft das 12-GBit-LPDDR4 von Samsung bisher verfügbare DRAM-Chips und soll als 6-GByte-Speicher in Premium-Smartphones und Tablets der nächsten Generation das volle Potenzial entfalten. Verglichen mit bisher aktuellen 8 GBit LPDDR4 in 20-nm-Technologie ist die Version mit 12 GBit pro Chip gemäß Hersteller mit 4266 MBit pro Sekunde (pro Pin 2133 MBit/s) über 30 Prozent schneller und doppelt so schnell wie DDR4 SDRAM für PCs, während sie 20 Prozent weniger Energie verbraucht.

Zusätzlich wurde die Fertigungsproduktivität des 12-GBit-LPDDR4 im Vergleich zu 8-GBit-LPDDR4 um 50 Prozent gesteigert. Das 12-GBit-LPDDR4 ermöglicht 3 GByte oder 6 GByte Mobile DRAM in einem Gehäuse mit nur 2 respektive 4 Chips. Es ist gleichzeitig die einzige Lösung, die ein 6 GBit LPDDR4 Gehäuse zur Verfügung stellen kann.

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