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Samsung: Erste Tape-outs von Prototypen in 14nm-FinFET-Prozesstechnologie

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Samsung hat nicht nur die Genehmigung zur Erweiterung seiner Chipfabrik im US-Bundesstaat Texas erhalten, sondern seine Halbleiterentwicklung auch noch mit der Ankündigung erster Tape-outs von Prototypen in 14nm-FinFET-Prozesstechnologie gekrönt.

Samsung ist laut Marktanalysten im Jahr 2012 hinter Intel der zweitgrößte Halbleiterhersteller der Welt. Bei den Chipsätzen für Smartphones und Tablets hatte Samsung mit dem Exynos 5 Dual 5250 SoC beispielsweise als einer der ersten Hersteller einem ARM Cortex-A15 basierten Applikationsprozessor in petto, der bereits konkret in Serienprodukten zum Einsatz kommt. Und die Geschäfte laufen für Samsung in seiner Halbleitersparte prächtig. Bei den Speicherchips ist Samsung inzwischen weltweit die Nummer 1.

Gestern meldeten US-Medien, dass Samsung von den US-Behörden die Genehmigung zur Erweiterung seiner Chipfabrik im Bundesstaat Texas erhalten hat. Samsung will für den Ausbau der dortigen Chipherstellung in Austin, 3,9 Milliarden US-Dollar locker machen. Insgesamt hat Samsung damit seit Produktionsbeginn der Anlage im Jahr 1996 mehr als 13 Milliarden Dollar in die Anlage investiert.

Mit der Ankündigung des Tape-outs der ersten Prototypen in 14nm-FinFET-Prozesstechnologie konnte Samsung nun seine Erfolge in der Halbleiterentwicklung auch noch krönen. Durch den Einsatz von Transistoren in FinFET-Bauweise lässt sich trotz höherer Schaltgeschwindigkeiten noch Energie sparen. Intel hatte Anfang Mai 2011 seine 3D-Tri-Gate-Transistoren mit 22nm-Strukturgröße für die Prozessorgeneration Ivy Bridge vorgestellt.

Globalfoundries präsentierte im September diesen Jahres seinen 14nm-XM Herstellungsprozess für SoCs. Samsung hat seine 14nm-FinFET-Prozesstechnologie zusammen mit Synopsys, ARM, Cadence sowie Mentor entwickelt und will die Technologie in zahlreichen künftigen Chips verwenden.

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> Notebook Test, Laptop Test und News > News > Newsarchiv > News 2012-12 > Samsung: Erste Tape-outs von Prototypen in 14nm-FinFET-Prozesstechnologie
Autor: Ronald Tiefenthäler, 21.12.2012 (Update: 21.12.2012)