Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4: Datenblatt-Leak deutet auf 3 nm Oryon-CPU, UWB und AI-Neuerungen
Nachdem Benchmark-Leaks bereits auf eine rund 26 Prozent bessere Performance des Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 gedeutet haben, konnte SmartPrix das unten eingebettete Datenblatt veröffentlichen, welches angeblich von Qualcomm stammt, und Aufschluss über die wichtigsten Neuerungen im Vergleich zum Snapdragon 8 Gen 3 gibt.
Allen voran wird der Flaggschiff-Chip der nächsten Generation in einem effizienteren 3 nm Verfahren hergestellt. Statt wie zuvor auf ARM Cortex CPU-Kerne zu setzen, soll Qualcomm erstmals die intern entwickelten Oryon-Kerne verbauen, die man bereits vom Snapdragon X Elite kennt – damit würde sich der Snapdragon 8 Gen 4 mehr denn je von Konkurrenzprodukten von MediaTek und Samsung unterscheiden. Während das Datenblatt keinen Aufschluss über die Anzahl der Kerne gibt, deuteten frühere Leaks auf zwei Performance-Kerne mit Taktfrequenzen bis 4,09 GHz sowie auf sechs Effizienz-Kerne bei 2,78 GHz.
Das Datenblatt spricht von einem neuen Grafikchip der Adreno 8-Serie, einem verbesserten Bildprozessor und von Support für externe 4K-Monitore. Eine Kombination aus einem Low Power AI Subsystem und einem KI-Beschleuniger (NPU) soll eine "Always sensing camera" sowie Always-on-Audio ermöglichen, wodurch etwa AI-Assistenten stets aktiv sein könnten, selbst dann, wenn sich das Smartphone im Standby-Modus befindet.
Der Chip unterstützt den Qualcomm Aqstic WCD9385 Audio-Codec, Wi-Fi 7, Bluetooth 5.4 und LPDDR5X-Arbeitsspeicher. Qualcomm soll auch Ultrabreitband (UWB) direkt in den Snapdragon 8 Gen 4 integrieren, wodurch das Feature endlich von einer größeren Anzahl von Smartphones unterstützt werden könnte. Der Snapdragon 8 Gen 4 wird voraussichtlich im Rahmen des Snapdragon Summit am 21. Oktober offiziell vorgestellt.
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