Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4: Datenblatt-Leak deutet auf 3 nm Oryon-CPU, UWB und AI-Neuerungen

Nachdem Benchmark-Leaks bereits auf eine rund 26 Prozent bessere Performance des Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 gedeutet haben, konnte SmartPrix das unten eingebettete Datenblatt veröffentlichen, welches angeblich von Qualcomm stammt, und Aufschluss über die wichtigsten Neuerungen im Vergleich zum Snapdragon 8 Gen 3 gibt.

Allen voran wird der Flaggschiff-Chip der nächsten Generation in einem effizienteren 3 nm Verfahren hergestellt. Statt wie zuvor auf ARM Cortex CPU-Kerne zu setzen, soll Qualcomm erstmals die intern entwickelten Oryon-Kerne verbauen, die man bereits vom Snapdragon X Elite kennt – damit würde sich der Snapdragon 8 Gen 4 mehr denn je von Konkurrenzprodukten von MediaTek und Samsung unterscheiden. Während das Datenblatt keinen Aufschluss über die Anzahl der Kerne gibt, deuteten frühere Leaks auf zwei Performance-Kerne mit Taktfrequenzen bis 4,09 GHz sowie auf sechs Effizienz-Kerne bei 2,78 GHz.