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Samsung: SoCs mit 10 nm gehen in die Massenfertigung

Samsung: SoCs mit 10 nm gehen in die Massenfertigung
Samsung: SoCs mit 10 nm gehen in die Massenfertigung
Samsung gab den Beginn der Massenfertigung für seine ersten SoCs mit 10-nm-Strukturbreite in FinFET-Technologie bekannt. Vermutlich handelt es sich um die Serien Exynos 8895 von Samsung und Snapdragon 830 von Qualcomm.

Samsung kündigte die Massenproduktion seiner ersten SoCs (System-on-Chip) an, die im neuen 10-nm-FinFET-Herstellungsprozess gefertigt werden. Der südkoreanische Elektronikkonzern nennt die jetzt angelaufene Massenfertigung selbst 10LPE (Low Power Early). 10LPE wird dann im nächsten Schritt von 10LPP (Low Power Plus) abgelöst.

Erste 10-nm-SoCs auf Basis von 10LPE sollen Anfang 2017 auf den Markt kommen. In der zweiten Jahreshälfte 2017 (H2/2017) sollen Chips folgen, die bereits im Low-Power-Plus-Verfahren (10LPP) hergestellt werden. Im Vergleich zur 14-nm-Fertigung sollen sich mit 10LPE bis zu 30 Prozent mehr Transistoren auf der gleichen Die-Fläche unterbringen lassen.

Samsung verspricht sich von den neuen 10-nm-SoCs entweder wahlweise eine Steigerung der Geschwindigkeit um 27 Prozent bei gleichem Energiebedarf oder eine Reduzierung der Leistungsaufnahme um 40 Prozent bei gleicher Performance. Die neuen Chips sollen den bisherigen Gerüchten zufolge als Samsung Exynos 8895 sowie als Snapdragon 830 respektive Snapdragon 835 vermarktet werden. Eines der ersten Smartphones mit der neuen 10LPE-Generation an Bord wird das Galaxy S8 / S8 edge sein.

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Autor: Ronald Matta, 17.10.2016 (Update: 17.10.2016)