Samsung Exynos 8895 Leak: 3 Ghz bei 5 Watt dank 10 nm-Prozess

Als der Exynos 8895 erstmals in einem Eintrag der indischen Import/Export-Datenbank Zauba auftauchte, das war Ende Juli dieses Jahres, wurde vermutete, dass es sich, ähnlich wie beim Snapdragon 821-SOC um einen Refresh der aktuellen Generation handelt, schon allein aufgrund der nur leicht veränderten Modellnummer. Offensichtlich will Samsung aber tief stapeln oder absichtlich verwirren, denn ein neuer Leak behauptet nun, dass es sich bei diesem Chip in Wahrheit um die nächste Exynos-Generation handelt, die in einigen der Flaggschiff-Modelle des nächsten Jahres verbaut werden dürfte, primär natürlich dem Galaxy S8 von Samsung selbst.

Ähnlich wie der Snapdragon 653-Leak vom Wochenbeginn, stammt das Gerücht, wie soll es anders sein, aus China. Dem neuen Leak auf Weibo zufolge dürfte der Exynos 8895, der womöglich bis zum Start noch umbenannt wird, bereits im 10 nm-Verfahren produziert werden und damit deutlich stärker energiesparend sein, als der Vorgänger. Nicht mehr als 5 Watt soll der Chip angeblich verbrauchen und dabei sogar 3 Ghz erreichen. Benchmarkwerte wurden gleich frei Haus mitgeliefert, 2301 im single-core- und 7019 im multi-core-test wurden angeblich erreicht, behauptet der Leaker.

Nachdem das iPhone 7 einen starken Fokus auf die Kameras setzt, ist es nicht schwer vorherzusagen, dass auch Samsung beim Galaxy S8 einmal mehr den Fokus auf die Kamera legen und vermutlich auch auf ein Dual-Kamera-System setzen wird, auch das wird im Leak übrigens erwähnt. Der Exynos 8895 soll hierfür ideal geeignet sein, denn er dürfte die Bildverarbeitung um 70 bis 80 Prozent beschleunigen. Auch wenn der Leaker behauptet, dass es sich bei den angegebenen Werte nicht um Vermutungen handelt, sollte man diese Informationen nicht für bare Münze nehmen. Kürzlich wurde übrigens auch gemunkelt, dass Samsung 2018 dann eventuell auf AMD- oder Nvidia-GPU's zurückgreifen könnte.

Quelle(n)