Samsung: Exynos 7 Octa in 14-nm-FinFET

Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion seiner Applikationsprozessoren in 14-nm-FinFET-Prozesstechnologie begonnen. Wie der südkoreanische Elektronikriese heute bekanntgab, soll die fortschrittliche Logik-Prozesstechnologie für mehr Leistung und weniger Energieverbrauch bei den kommenden Generationen von Smartphones sorgen.

Konkret nennt Samsung als ersten Prozessor seinen Exynos 7 Octa, der wohl als Exynos 7420 in Kürze im brandneuen Galaxy S6 seine Premiere feiern wird, das mit ziemlicher Sicherheit zusammen mit dem Galaxy S6 Edge auf dem MWC 2015 in Barcelona vorgestellt wird. Gemäß Samsung soll die 14-nm-Technologie eine "bis zu 20 Prozent höhere Geschwindigkeiten bei 35 Prozent geringerer Leistungsaufnahme" im Vergleich zu der bisherigen Prozesstechnologie in 20 Nanometern erreichen.

Samsung nutzt mit dem neuen 14-Nanometer-Fertigungsprozess dreidimensionale 3D-FinFET-Strukturen in Transistoren, die der Weltkonzern in seinen Forschungs- und Entwicklungslaboren bereits seit den frühen 2000ern entwickelt. Ende 2012 kündigte Samsung die ersten Tape-outs von Prototypen in 14-nm-FinFET-Prozesstechnologie an. Intel hatte im Mai 2011 seine 3D-Tri-Gate-Transistoren mit 22-nm-Strukturgröße für die Prozessorgeneration Ivy Bridge präsentiert.

Wie Samsung in seiner Produktmeldung weiter ankündigte, wird der 14-nm-FinFET-Prozess im Laufe des Jahres auf andere Produkte ausgedehnt.

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