Qualcomm Snapdragon 835 & 660: Erste Spezifikationen leaken

Bei der gemeinsamen Präsentation des Snapdragon 835 letzte Woche haben weder Samsung noch Qualcomm Details zum Prozessor selbst verraten, abgesehen von der Tatsache, dass er als Erster im neuen 10 nm FinFET-Verfahren von Samsung produziert wird und damit energiesparender und leistungsfähiger als all seine Vorgänger sein soll. Zudem wurden Details zum USB-C Power-Delivery-kompatiblen Schnell-Ladeverfahren Quick Charge 4.0 bekannt gegeben.

Natürlich würden wir gern mehr erfahren! Aus offizieller Quelle wird das wohl erst nächstes Jahr beim Mobile World Congress in Barcelona passieren, aber zum Glück gibt es ja chinesische Quellen, die uns oft bereits vorab mit Informationen versorgen. So wurde auch diesmal eine Tabelle geleakt, in der einige wichtige Daten des neuen Snapdragon 835 im Vergleich zu einem bislang nicht angekündigten Snapdragon 660 verraten werden. Letzterer soll im zweiten Quartal 2017 erstmals in neuen Midrange-Devices von Vivo und Oppo auftauchen. Der Snapdragon 835 wird dagegen bereits zum Mobile World Congress Ende Februar 2017 im Galaxy S8 von Samsung erwartet. 

Snapdragon 835

Wie wir wissen, wird der neue High-End Soc von Qualcomm im 10 nm-FinFET-Verfahren produziert und hat die Modellnummer MSM 8998, die bereits sehr früh in Kompatibilitäts-Dokumenten von Microsoft aufgetaucht ist und eigentlich dem Snapdragon 830 zugeordnet wurde. Das bedeutet also, was ja auch zu erwarten war, dass es wohl keinen Snapdragon 830 geben wird. Im Gegensatz zu Snapdragon 821 und 820 wird es sich beim Snapdragon 835 wieder um einen Octa-Core-SOC handeln.

Wie hoch diese acht Kerne takten verrät die Quelle nicht. Es handelt sich um Kryo 200-Kerne mit zwei Quad-Core-Clustern. Als GPU ist eine Adeno 540 verbaut. Der SOC unterstützt 4 Kanal LPDDR4X-1866 RAM sowie die neue Universal Flash Storage (UFS) Version 2.1, im Gegensatz zu UFS 2.0 beim Snapdragon 820/821. Dank X16-Modem kann der Snapdragon 835 mittels Cat.16 bis zu 1 Gbps Download-Geschwindigkeit in kompatiblen Mobilfunknetzen erreichen.

Snapdragon 660

Im zweiten Quartal 2017 dürfte der Nachfolger des Midrange-Prozessors Snapdragon 653 auf den Markt kommen, der allerdings noch im 14 nm-LPP-Verfahren produziert wird. Die Modellnummer des Snapdragon 660 lautet MSM 8976 Plus. Auch hierbei handelt es sich um einen Octa-Core mit zwei Vierfach-Clustern aus regulären Kryo Kernen (nicht Kryo 200 wie im Snapdragon 835). Die ersten vier arbeiten mit 2,2 Ghz, die zweiten mit 1,9 Ghz. Als GPU ist eine Adeno 512 integriert. Auch der Snapdragon 660 unterstützt UFS 2.1 und LPDDR4X-1866 RAM, allerdings nur 2 Kanäle von Letzterem, zudem ist maximal ein X10-Modem integrierbar.

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