Qualcomm: Erster 10 nm-SOC Snapdragon 835 offiziell vorgestellt

Dass Qualcomm den kommenden Flaggschiff-Prozessor für 2017 bei Samsung fertigen lässt, war ein offenes Geheimnis. Wie der im Frühjahr des nächsten Jahres zu erwartende Samsung Exynos 8895 wird auch der Qualcomm Snapdragon 835 direkt bei Samsung im neuen 10 nm-FinFET-Verfahren produziert. Die Partnerschaft der beiden Firmen geht also in eine neue Runde. Im kommenden Jahr soll unter Anderem das Samsung Galaxy S8 in einigen Märkten mit dem neuen Snapdragon 835-SOC ausgestattet werden. Viele Details zum neuen Mobilprozessor haben Samsung und Qualcomm heute nicht verraten, das sparen sie sich wohl für eine weitere Präsentation im kommenden Jahr.

Samsung hat allerdings einige Zahlen zum neuen 10 nm-Verfahren bekannt gegeben, welches beim Qualcomm Snapdragon 835 erstmals zum Einsatz kommen wird. So wird im Vergleich zum 14 nm-Verfahren bis zu 30 Prozent der Grundfläche eingespart, gleichzeitig bieten die im neuen Verfahren produzierten Prozessoren eine um 27 Prozent höherer Performance bei bis zu 40 Prozent geringerem Energieverbrauch. Dank dieser Einsparungen bei Energieverbrauch und Grundfläche und den zu erwartenden Verbesserungen bei den Akkus dürften die Mobilgeräte kommendes Jahr bei den Laufzeiten noch mal einen deutlichen Sprung nach vorne machen.

Auch die Ladezeiten werden 2017 erneut kürzer, zusammen mit dem Snapdragon 835 hat Qualcomm die Schnell-Ladetechnik Quick Charge in der Version 4.0 angekündigt, die entgegen erster Gerüchte mit dem USB Power Delivery-Standard kompatibel sein wird. Mehr dazu in diesem Beitrag. Der Snapdragon 835 befindet sich bereits in Produktion und wird im ersten Halbjahr 2017 in Smartphones der Oberklasse wie beispielsweise dem Samsung Galaxy S8 zu finden sein.

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