Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3: Gerüchte deuten auf fünf Performance-Kerne, Adreno 750 und 3 nm

Laut Berichten aus der Versorgungskette wird der Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 als erster ARM-SoC für Android-Smartphones in einer Strukturbreite von nur 3 nm gefertigt. TSMCs N3E-Verfahren verspricht im Vergleich zu N4P eine 7 Prozent bessere Performance und einen 12 Prozent niedrigeren Stromverbrauch. Der Snapdragon 8 Gen 3 konnte in ersten Benchmark-Leaks bereits weitaus größere Performance-Fortschritte demonstrieren.

Das liegt unter anderem an brandneuen ARM-Prozessorkernen, angeführt vom Cortex-X4 Performance-Kern. Gerüchte deuten darauf, dass der leistungsstärkste Rechenkern des Chips Taktraten zwischen 3,2 GHz und 3,75 GHz erreicht – die finalen Taktraten stehen offenbar noch nicht fest. Generell sollten Gerüchte aktuell noch skeptisch betrachtet werden, denn einerseits könnten sich die Specs des Chips bis zum Launch im Herbst noch ändern, andererseits sind sich die Gerüchte noch nicht einig, ob der Chip vier oder fünf Cortex-A720 Performance-Kerne mit Taktraten bis 3,0 GHz besitzt, und dazu zwei oder drei Cortex-A520 Effizienz-Kerne bei 2,0 GHz.

Die Ausstattung wird durch einen brandneuen Adreno 750 Grafikchip, durch Unterstützung für moderneren UFS 4.1 Flash-Speicher und durch das brandneue Snapdragon X75 5G-Modem abgerundet. Der Snapdragon 8 Gen 3 soll früher als seine Vorgänger vorgestellt werden, angeblich schon zwischen Ende Oktober und Anfang November. Das Xiaomi 14 und das Samsung Galaxy S24 sollen zu den ersten Smartphones gehören, die Qualcomms Flaggschiff-Prozessor der nächsten Generation erhalten.