IBM fertigt den weltweit ersten 2 nm-Chip mit eindrucksvoller Transistordichte
IBM hat eigenen Angaben zufolge den ersten 2 nm-Chip der Welt hergestellt, der im Vergleich zu einem herkömmlichen 7 nm-Chip entweder dieselbe Performance bei einem um 75 Prozent geringeren Energieverbrauch oder aber eine um 45 Prozent bessere Leistung bei identischem Energieverbrauch erreichen können soll.
Die Angaben von Strukturbreiten sind nur begrenzt aussagekräftig, da diese von jedem Unternehmen anders berechnet werden. Ein Vergleich der Transistordichte mit den größten Konkurrenten zeigt, wie effektiv das neue Fertigungsverfahren von IBM tatsächlich ist – IBM bringt auf derselben Fläche mehr als dreimal so viele Transistoren unter wie Intel und Samsung, und immerhin fast doppelt so viele wie TSMC.
| IBM | TSMC | Intel | Samsung | |
|---|---|---|---|---|
| 22 nm | 16,50 | |||
| 16 nm / 14 nm | 28,88 | 44,67 | 33,32 | |
| 10 nm | 52,51 | 100,76 | 51,82 | |
| 7 nm | 91,20 | 95.08 | ||
| 5 nm | 171,30 | |||
| 3 nm | ||||
| 2 nm | 333,33 |
IBM gibt an, dass ein Chip in der Größe eines Fingernagels 50 Milliarden Transistoren beherbergen kann, und dass dieses High NA EUV-Fertigungsverfahren mit Strukturbreiten von 2 nm Fortschritte in den Bereichen 5G, 6G, künstlicher Intelligenz und sogar bei der Raumfahrt ermöglichen wird.
Nicht ganz klar ist, wann Konsumenten von dieser neuen Technologie profitieren können – IBM hatte auch als erstes Unternehmen ein 7 nm- und 5 nm-Verfahren implementiert, eine breite Verfügbarkeit dürfte aber erst erzielt werden, wenn TSMC, Samsung und co. Chips mit einer derart hohen Transistordichte fertigen können. TSMC soll noch in diesem Jahr damit beginnen, Chips mit einer Strukturbreite von 3 nm zu fertigen.
