Feind-Edition? Samsung Galaxy S23 FE kommt offenbar mit zwei eher unattraktiven Chipsätzen

Eine Fan-Edition-Welle rollt 2023 auf uns zu, wenngleich nicht alle Samsung-Fans happy damit sein werden. So steckt etwa in den beiden vergangene Woche erstmals geleakten Galaxy Tab S9 FE und Galaxy Tab S9 FE+ Tablets laut Geekbench-Leaks ein eher lahmer Exynos 1380, statt eines Snapdragon 8 Gen 2. Und auch beim dritten Fan-Edition-Produkt des Jahres 2023 ist nicht alles eitel Wonne, wie Hinweise in der Geekbench-Datenbank nahelegen.

Nachdem vor einigen Wochen bereits das internationale Galaxy S23 FE Modell mit der Nummer SM-S711B in der Benchmark-Datenbank aufgetaucht war, wurde dort nun auch das US-Modell mit der Modellnummer SM-S711U1 entdeckt. Beide starten mit 8 GB RAM und Android 13, sind aber in alter und verhasster Samsung-Tradition mit unterschiedlichen Chipsätzen bestückt und das nicht gerade mit sehr attraktiven, wie die Geekbench-Daten vermuten lassen.

Demnach steckt im US-Modell ein bereits etwas älterer Snapdragon-Chipsatz, allerdings nicht etwa der im Nothing Phone (2) genutzte Snapdragon 8+ Gen 1 aus den Fabriken von TSMC sondern der allgemein als Hitzkopf kritisierte Snapdragon 8 Gen 1 aus Samsungs Fertigung. Das erkennt man etwa an den 3 Ghz mit denen der Performance-Core taktet, beim verbesserten Plus-Modell sind es dagegen 3,19 Ghz. Auch US-Amerikaner dürften also nicht uneingeschränkt happy mit dem Galaxy S23 FE werden, wenngleich die erzielten Scores des Vorseriengeräts hier am oberen Ende der medianen Galaxy S22-Ergebnisse liegen.