Technologie: Herstellung eines 1-nm-Transistors gelungen

Bei aktuellem Stand der Technik wäre es nicht möglich, einen Transistor auf unter 5 nm zu verkleinern. Aktuelle Prozessor-Generationen, wie z.B. Skylake, setzen auf ein 16 bzw. 14 nm Herstellungsverfahren. Das bedeutet, dass das 5-nm-Limit innerhalb der nächsten Jahre erreicht wäre. Dies bereitet Chipdesignern und Herstellern schon seit längerem Kopfschmerzen. Nun allerdings ist es einem Forschungsteam unter der Leitung von Professor Ali Javey vom Berkeley National Laboratory gelungen, einen Transistor mit einem 1-nm-Gate her zu stellen. Nach Auffassung von Prof. Javey könnte dies dazu führen, dass das "Moore's Law" noch eine Weile weiterbestehen kann. Dieses besagt, dass sich die Anzahl an Transistoren pro Flächeneinheit alle 12 bis 24 Monate (je nach Quelle) mit minimalen Komponentenkosten verdoppelt. Die Verkleinerung von Transistoren ist ein wichtiger Faktor in der Computerindustrie. Denn umso kleiner der Transistor, umso mehr Transistoren passen auf einen Chip, und umso schneller und effizienter ist dieser Chip.

Prof. Javey und seinem Team ist diese Verkleingerung durch die Benutzung von Kohlenstoffnanoröhren und Molybdändisulfid (MoS2), als Ersatz für Sililzium, gelungen. Molybdändisulfid ist eigendlich ein handelsübliches Motorenschmiermittel, besitzt aber, durch seine kristalline Gitterstruktur, ein enormes Potential für Applikationen in LEDs, Lasern, Nanotransistoren und Solarzellen. Allerdings muss hier noch erwähnt werden, dass sich die Forschung, auch nach dem ersten Erfolg, noch am Anfang befindet. Das bedeutet, dass noch einige Jahre vergehen werden, bis wir diese Technik in Endprodukten sehen können.

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