Storage: Samsung zeigt erstes 64-Layer-V-NAND-Flash-Memory und weltgrößte SAS-SSD
Samsung Electronics zeigt auf dem Flash Memory Summit 2016, der vom 16. bis 18. August im kalifornischen Santa Clara Convention Center stattfindet, bei den Speichertechnologien für die Bereiche Big-Data-Netzwerke, Cloud Computing und Echtzeitanalyse bereits die Flash-Memory-Lösungen der nächsten Generation.
Unter anderem präsentiert Samsung in den USA auf dem Flash-Memory-Event die vierte Generation seines Vertical NAND (V-NAND) und eine Reihe von hochleistungsfähigen SSDs (Solid State Drives) mit hoher Kapazität, die speziell für Enterprise-Kunden gedacht sind. Außerdem wird der Hersteller unter der Bezeichnung Z-SSD eine neue Lösung mit sehr hoher Leistungsfähigkeit für Flash-basierte Storage-Lösungen zeigen.
Vierte V-NAND-Generation von Samsung stapelt 30 Prozent mehr als Vorgänger
Samsungs vierte V-NAND-Generation stapelt als 64-Layer Triple-Level-Cell V-NAND-Flash-Memory nun 30 Prozent mehr als ihr Vorgänger. Mit 64 Lagen übereinander gestapelter Cell Arrays kann das neue V-NAND laut Samsung seine Single-Die-Dichte auf 512 Gb und seine I/O-Geschwindigkeit auf bis zu 800 Mbit/s steigern. Seit August 2013 hat Samsung drei Generationen seiner V-NAND-Produkte mit 24, 32 und 48 Lagen Vertical Cell-Array Stacking-Technologien eingeführt. Die V-NAND-Lösungen der vierten Generation sollen laut Samsung im vierten Quartal 2016 ausgeliefert werden.
32-TB-SAS-SSD für Enterprise-Storage-Systeme
Bei den Serial Attached SCSI (SAS) SSD hat Samsung laut eigenen Angaben das derzeit weltweit größte auf 512 Gb V-NAND-Chips basierende Single-Laufwerk. Insgesamt sind 512 V-NAND-Chips in 16 Lagen übereinander gestapelt, um ein 1-TB-Package zu bilden. Die 32-TB-SSD enthält insgesamt 32 dieser Packages. Die 32-TB-SAS-SSD wird im 2,5-Zoll-Formfaktor angeboten und soll 2017 in Produktion gehen. Samsung erwartet, dass SSDs mit einer Speicherkapazität von über 100 TB ab dem Jahr 2020 zur Verfügung stehen werden.
1-TB-SSD im BGA-Gehäuse
Samsungs 1 TB BGA-SSD (BGA, Ball Grid Array) kommt in einem extrem kompakten Gehäusedesign daher, das alle erforderlichen SSD-Komponenten wie Flash-Chips, LPDDR4 und einen Samsung-Controller enthält. Der schnelle SSD-Knirps liest laut Samsung mit bis zu 1.500 MB/s und schreibt mit bis zu 900 MB/s. Die Mini-SSD wiegt nur etwa 1 Gramm und eignet sich somit auch für ultrakompakte Mobilgeräte der nächsten Generation.
Für nächstes Jahr plant Samsung die Vorstellung einer 1-TB-BGA-SSD mit einer High-Density Packaging-Technologie namens "FO-PLP" (Fan-out Panel Level Packaging), die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat.
Neue "Z-SSD" mit extrem geringer Latenz
Samsung hat auch eine hochleistungsfähige SSD-Lösung mit extrem geringer Latenz entwickelt. Samsung nennt die neue Turbo-SSD "Z-SSD". Die Z-SSD weist gemäß Samsung zwar die grundlegende Struktur von V-NAND auf, verfügt aber über ein besonderes Schaltungsdesign respektive Controller zur Maximierung der Leistungsfähigkeit. Samsung verspricht für seine Z-SSD eine 4-mal geringere Latenz und rund 1,6-mal schnelleres sequenzielles Lesen im Vergleich zur Samsung PM963 NVMe-SSD.
Die Z-SSD ist für Systeme gedacht, die extrem intensive Echtzeitanalysen durchführen und allen Arten von Arbeitslasten eine hohe Leistungsfähigkeit zur Verfügung stellen müssen. Vorstellen möchte Samsung die Z-SSD im kommenden Jahr.
Quelle(n)
