Snapdragon 845 & Kirin 970: Erste Leaks zu den nächsten High-End-SOCs

Beide Nachfolger für Snapdragon 835 und Kirin 960 werden nach wie vor im 10 nm-Verfahren produziert, frühere Gerüchte, dass bereits das 7 nm-Verfahren bei TSMC zum Einsatz kommen soll, scheinen sich nicht zu bewahrheiten. Qualcomm bleibt beim Snapdragon 845 offenbar Samsung treu und wird den Chip in Südkorea im 10 nm LPE-Verfahren produzieren lassen während Huawei's HiSilicon-Chip Kirin 970 bei TSMC im 10 nm FinFET-Verfahren hergestellt wird.

Qualcomm setzt im Snapdragon 845 offenbar auf vier bisher noch nicht offiziell vorgestellte ARM Cortex A-75-Kerne statt auf seine eigenen Kryo-Optimierung, zusammen mit vier altbekannten Cortex A-53-Cores. Huawei bleibt hier konservativer und will vier Cortex A-73-Kerne und vier Cortex A-53-Kerne kombinieren. Die Grafik kommt im Snapdragon 845 als Adreno 630 daher während Huawei möglicherweise erstmals die ARM Heimdal-GPU einsetzen wird. 

Beim Modem steht in beiden Fällen der nächste Sprung auf Cat.18-LTE an, versprochen werden Downloadraten bis zu 1.2 Gbps in entsprechend ausgerüsteten Netzen, der Snapdragon 835 bietet hier maximal 1 Gbps. Neben UFS 2.1 und LPDDR4X wird der Image Signal Processor (ISP) des Snapdragon 845 auch 25 Megapixel-Kameras unterstützen. Alle genannten Spezifikationen sind vorerst natürlich unbestätigt und sollten mit entsprechender Skepsis betrachtet werden. Während Huawei den Kirin 970 vermutlich noch Ende 2017 vorstellen wird, dürfte Qualcomm erst Anfang 2018 bereit sein, die Details zum Snapdragon 845 offiziell zu enthüllen.

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