Samsung startet Massenproduktion für superschnellen 16-Gbit-GDDR6-Speicher

Samsung kündigt heute überraschend die Massenproduktion seines neuen GDDR6-Speichers mit 16 Gbit (2 GB) pro Chip an, die eine Geschwindigkeit von bis zu 18 Gbit/s (Pin Speed) erreichen. Bisher war lediglich von einer Bandbreite von bis zu 16 Gbit/s die Rede. Damit liefern die neuen GDDR6-Chips von Samsung Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 72 GB/s (32-Bit-Interface)!

Im Vergleich dazu liefern GDDR5X- und GDDR5-Speicher maximale Speicherbandbreiten von 48 GB/s respektive 36 GB/s. Laut Samsung werden die neuen GDDR6-Speicher in einem "10-nm-Class-Verfahren" hergestellt, womit sich Samsung auf eine Prozesstechnologie zwischen 10 und 19 Nanometern bezieht. Eine mit den neuen GDDR6-Speichern von Samsung ausgerüstete 256-Bit-Grafikkarte könnte damit Geschwindigkeiten von bis zu 576 GB/s erreichen.

Der neue GDDR6-Speicher kommt mit einer Betriebsspannung von 1,35 Volt aus, was laut Samsung im Vergleich zu den noch immer weit verbreiteten GDDR5-Chips mit 1,55 V ein Energieeinsparpotenzial von rund 35 Prozent eröffnet. Außerdem bringen die 10-nm-Klasse 16-Gb-GDDR6-Chips eine Produktivitätssteigerung von etwa 30 Prozent im Vergleich zu 20 Nanometer basierte 8-Gb-GDDR5 mit sich.

Spannend bleibt, welche Grafikkarten als erste mit den neuen und superschnellen GDDR6-Speichern ausgestattet werden. Samsung selbst hält sich zurück und spricht nur vage von Einsatzbereichen bei "8K Ultra HD Video Processing, Virtual Reality (VR), Augmented Reality (AR) und Artificial Intelligence".

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