Samsung präsentiert UFS 4.0 Flash-Speicher mit Datenraten bis 4,2 GB/s für Smartphones
Moderne Flaggschiff-Smartphones setzen fast durchwegs auf UFS 3.1 Flash-Speicher, der eine Geschwindigkeit von maximal 2.900 MB/s ermöglicht. Samsung Semiconductor hat nun die ersten Speicherchips des Unternehmens angekündigt, die mit dem JEDEC-Standard UFS 4.0 konform gehen.
Die Chips auf Basis von Samsungs V-NAND der siebten Generation messen 13 x 11 x 1 Millimeter, die maximale Kapazität pro Chip beträgt 1 TB. Samsung verspricht eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 4.200 MB/s, beim Schreiben von Daten sollen immerhin 2.800 MB/s erreicht werden. Wie üblich gilt, dass die tatsächlichen Datenraten von vielen weiteren Faktoren abhängen, in der Theorie ermöglicht UFS 4.0 aber doppelt so schnelle Leseraten und 1,6 Mal höhere Schreibraten als UFS 3.1.
Auch die Akkulaufzeit soll von der neuen Speicher-Technologie profitieren, denn UFS 4.0 ermöglicht es, 6 Megabyte pro Sekunde pro Milliampere zu lesen, wodurch mit derselben Energie 46 Prozent mehr Daten ausgelesen werden können als noch mit UFS 3.1. Samsung Semiconductor plant, die Massenproduktion von UFS 4.0 Flash-Speicher im dritten Quartal 2022 zu starten, sodass der Speicher beim Samsung Galaxy S23 bereits zum Einsatz kommen könnte.
Samsung Semiconductor wird die Speicherchips auch an andere Smartphone-Hersteller verkaufen, im nächsten Jahr sollten also zahlreiche Flaggschiffe mit deutlich schnellerem Speicher ausgeliefert werden, wie er aktuell nur mithilfe einer zusätzlichen NVMe SSD möglich ist, wie sie zum Beispiel beim Xiaomi Black Shark 5 Pro zum Einsatz kommt.
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