Samsung: neuer V-NAND-Speicher in Serienproduktion

Samsung hat offiziell bekannt gemacht, dass sich die vierte Generation des V-NAND-Speichers in Serienproduktion befindet. Dieser soll mehr als 50 Prozent schneller sein also die dritte Generation und eine Verbesserung der Effizienz um gut 30 Prozent mit sich bringen. Letzteres wird Samsung zufolge durch eine Senkung der Spannung von 3,3 auf 2,5 Volt erreicht. Die gesteigerte Leistung liegt hauptsächlich an den stolzen 64 Zellschichten des neuen 3D-Flash-Speichers. Insgesamt soll der Speicherchip Übertragungsraten von bis zu stolzen 1000 Mbit/s ermöglichen. Auch die Zuverlässigkeit der Chips soll sich Samsung zufolge um 20 Prozent verbessert haben, wozu es allerdings keine näheren Ausführung von Seiten Samsungs gab. Zu Beginn wird sich der neue Speicherchip nur in Samsungs M.2/SATA-SSDs (Modellbezeichnung: PM871b) finden. Aktuell sind Speichergrößen von bis zu einem Terabyte verfügbar. Mittelfristig soll diese Technologie allerdings auch ihren Einzug in den Mobile-Markt finden.

Aktuell gehört Samsung zu einem der führenden Hersteller im Bereich der Speichertechnologie. Mit diesem neuem Chip sichert sich der koreanische Konzern einen weiteren Vorsprung gegenüber der Konkurrenz.

Quelle(n)