Samsung kündigt 3 nm MBCFET-Fertigungsverfahren an
Dank "Multi Bridge Channel Field-effect-Transistoren", kurz MBCFETs, soll die Fertigung von Strukturbreiten bis 3 nm möglich sein. In einem Video (unten eingebettet) erklärt das Unternehmen die Vorteile des neuen Verfahrens, welches im Vergleich zu 7 nm FinFETs große Fortschritte in Sachen Leistung und Stromverbrauch bieten wird, während die notwendige Chipfläche um bis zu 45 Prozent schrumpft.
Bisher wurde allerdings nur Version 0.1 des Process Design Kit (PDK) fertiggestellt. Dieses dient Samsungs Kunden als Referenz, um Chip-Designs an das neue Verfahren anzupassen. Samsung betont, dass FinFET-Designs mit dem neuen Verfahren kompatibel sind, sodass diese mit demselben Equipment gefertigt werden können, wodurch die Vorbereitungen zur Produktion entsprechend schnell vonstatten gehen sollten.
Roadmap: 6 nm im Herbst, 5 nm Anfang 2020
Samsung hat noch keinen Termin für die Fertigstellung der Entwicklung oder gar die Fertigung seiner 3 nm MBCFETs angegeben. Die Roadmap ist trotzdem aufschlussreich: Demnach stehen noch einige Schritte im FinFET EUV-Verfahren bevor.
Im Herbst dieses Jahres werden in diesem Verfahren 6 nm-Chips gefertigt, in der ersten Hälfte 2020 schrumpft die Strukturbreite auf 5 nm. Die Entwicklung des 4 nm-Verfahrens wird laut Plan noch dieses Jahr abgeschlossen, zum Start der Massenproduktion gibt es dazu aber noch kein Datum.
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