Samsung beginnt mit der Produktion von 3 nm-Chips, Monate vor TSMC

Samsung Electronics hat angekündigt, dass der Konzern mit der Produktion von Chips mit einer Strukturbreite von 3 nm begonnen hat, und zwar auf Basis der Gate-All-Around (GAA) Transistor-Architektur. Das fortschrittliche Fertigungsverfahren soll die Einschränkungen von FinFET hinter sich lassen und sowohl den Stromverbrauch von Chips senken, als auch deren Performance erhöhen.

Konkret spricht Samsung von einem 45 Prozent geringeren Stromverbrauch, einer 23 Prozent besseren Performance, und einer 16 Prozent kleineren Chip-Fläche, jeweils verglichen mit demselben Chip auf Basis von Samsungs älterer 5 nm-Fertigung. Samsung arbeitet bereits an der 3 nm-Fertigung der zweiten Generation, die den Stromverbrauch um 50 Prozent senken, die Leistung um 30 Prozent erhöhen und die Chip-Fläche um 35 Prozent reduzieren soll.

Die Fertigung im 3 nm-Verfahren läuft bereits in Südkorea, Samsungs Fabrik in Texas, die 2024 eröffnet wird, soll die Kapazitäten erweitern. Bis Smartphone-SoCs mit einer Strukturbreite von 3 nm erhältlich sind, dürfte es aber noch einige Monate dauern, denn zumindest aktuell liegt der Fokus von Samsung Electronics auf besonders "leistungsstarken und sparsamen" Chips – eine Kategorie, in die Smartphone-Prozessoren laut Samsung nicht fallen.

Die heutige Ankündigung ist ein wichtiger Meilenstein für Samsung Electronics, denn der Konzern ist dem Weltmarktführer im Foundry-Sektor damit um mehrere Monate voraus. TSMC wird die Massenfertigung im hauseigenen N3-Verfahren erst im zweiten Halbjahr starten. Dieser Vorsprung von Samsung macht sich bereits im Aktienkurs von TSMC bemerkbar, denn dieser ist nach der Veröffentlichung der Pressemeldung auf 476 TWD gesunken, dem neuen 52-Wochen-Tief.