Samsung: Produktion der Low-Power-DDR2 in 30-nm-Fertigung gestartet
Samsung ist mit seiner DRAM-Produktion auf Kurs. So hat der koreanische Elektronikkonzern nun die Produktion seiner angekündigten 4-Gbit-DRAMs in der Klasse der Low-Power-DDR2-Module (LPDDR2) mit einer Strukturbreite von 30 Nanometern aufgenommen. Muster seiner DDR-Chips mit besonders niedrigem Energieverbrauch hat Samsung seinen Partnern bereits im Dezember 2010 zur Verfügung gestellt.
Die Low-Power-DDR2 sollen Mobilgeräte wie Smartphones und Tablet-Computer mit einem Datendurchsatz von bis zu 1.066 Mbit/s beflügeln. Laut Samsung liefern die neuen LPDDR2 eine mehr als doppelt so hohe Leistung wie die sonst bei Mobilgeräten üblichen DDRs, die meist mit 333 bis 400 Mbit/s arbeiten.
Als weiteren Vorteil nennt Samsung die höhere Packungsdichte der neuen 4-Gigabit-Chips. Brauchte man mit 2-Gbit-Modulen noch 4 Chips für einen 1-GByte-LPDDR2, so sind mit den neuen Low-Power-DDR2-Chips mit 4 Gbit lediglich zwei Schichten notwendig. Damit reduziert sich auch die Bauhöhe um rund 20 Prozent von 1,0 auf 0,8 Millimeter und der Energieverbrauch um 25 Prozent.
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