Samsung: Erster 3D V-NAND Flash in Massenproduktion

Wenn man sich im Kreise der SSD Besitzer umsieht, findet man nach wie vor zumeist die ein oder andere zusätzliche HDD. Der Grund ist relativ offensichtlich: Der Vorteil des althergebrachten Magnetspeichers liegt bei Preis und Speichergröße. Kaum jemand wird sich den Luxus gönnen, seine umfangreiche Filme-, Lieder- oder Fotosammlung auf zahlreichen SSDs zu speichern, zumal diese noch immer relativ kurzlebig sind.

Samsung verspricht nun Abhilfe, zumindest was die Speichermenge angeht. Nicht nur soll die neue 3D Vertical NAND Flash Memory Technologie die Kapazität deutlich erhöhen, auch die Lebensdauer soll laut den Südkoreanern um das zwei- bis zehnfache verlängert werden. Zusätzlich soll sich die Zugriffsgeschwindigkeit verdoppeln. Wie soll all das erreicht werden?

Einerseits ist da die rein mechanische Komponente: Samsung hat eine Methode entwickelt, mit der sich die einzelnen Zellen innerhalb eines Chips vertikal anordnen lassen. Das bedeutet ganz einfach mehr Zellen pro Chip und somit mehr Speicher. Andererseits musste man natürlich auch neue Techniken entwickeln, um mögliche Interferenzen zwischen den einzelnen Zellen zu vermeiden.

Statt Floating Gates zu verwenden, greift man nun auf die eigens entwickelte 3D Charge Flash Trap Technologie zurück und verbindet die Zellenarrays per vertikaler Interconnect-Prozesstechnologie. Die geringeren Ladungsmengen der Zellen sollen dabei die Abnutzungserscheinungen durch Schreib- und Lesevorgänge deutlich vermindern.

Bei Samsung ist bereits von einem möglichen 1 TB 3D V-NAND Chip die Rede - derzeit sind wir allerdings noch bei 128 GB, ein Sprung, der laut dem Speicherhersteller unter Beibehaltung der planaren Bauweise kaum möglich gewesen und wenn, dann nur sehr mühsam erreicht worden wäre.

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