Der Qualcomm Snapdragon 660 (SDM660) ist ein ARMv8-basierter SoC für Tablets und Smartphones aus dem gehobenen Mittelklasse-Segment. Der Mitte 2017 vorgestellte Chip ist der Nachfolger des Snapdragon 625 und bietet laut Qualcomm im Vergleich 30% schnellere Kerne, Unterstützung für Bluetooth 5, ein schnelleres LTE Modem, USB 3.1 und Quick Charge 4.0. Er integriert 8 Kryo 260 Kerne (Custom Design, 64-Bit fähig) mit bis zu 2,2 GHz (4 Performance-Kerne) bzw. 1,8 GHz (4 Stromspar-Kerne).
Neben den CPU-Kernen integriert der SoC auch eine Adreno-512-Grafikkarte, einen LPDDR4 Speicherkontroller (Dual-Channel 1866 MHz), einen Hexagon 680 DSP, das X12 LTE Cat 12/13 Modem (600 Mbps Download, 150 Mbps Upload) und ein 802.11ac Wave2 (max. 867 Mbps, 2x2 MU-MIMO) WLAN Modem.
Performance
In ersten Benchmarks des Oppo R11 kann der Snapdragon 660 im Einzelkernbenchmark des Geekbench mit dem Snapdragon 821 des Google Pixel XL mithalten und im Multi-Core-Test sogar um 40% schlagen. Es bleibt jedoch hinter dem Snapdragon 835 zurück.
Die Grafikperformance der Adreno 512 ist jedoch deutlich geringer als bei den Topmodellen wie dem Snapdragon 821. Im Vergleich zur Adreno 510 kann sie jedoch durch die hohen Taktraten etwas Performance gewinnen.
Leistungsaufnahme
Durch den neuen 14-Nanometer-Fertigungsprozess ist die Energieeffizienz gegenüber den 20 und 28-Nanometer-Vorgängermodellen merklich angestiegen.
Der im Q2/2023 vorgestellte MediaTek Dimensity 8200-Ultra ist ein ARM-basiertes SoC (System-on-a-Chip), welches im 4-nm-Prozess gefertigt wird. Es wurde speziell für den Einsatz in Android-Smartphones entworfen und sortiert sich leistungstechnisch in die Oberklasse ein. Es unterstützt alle aktuellen Mobilfunkstandards, inklusive 5G SA.
Die CPU arbeitet insgesamt mit acht Kernen, welche sich in zwei Cluster unterteilen. Im ersten Cluster kommen zu einem ARM Cortex-A78-Leistungskern, der mit 3,1 GHz taktet, drei weitere ARM Cortex-A78-Leistungskerne mit 3 GHz. Im zweiten Cluster arbeiten vier ARM Cortex-A55-Energiesparkerne mit 2,0 GHz. Als Arbeitsspeicher kann LPDDR5-RAM verwendet werden, als interner Speicher wird UFS 3.1 unterstützt.
In puncto Konnektivität steht Dual-5G mit einer theoretischen Spitzen-Download-Geschwindigkeit von bis zu 4,7 GBit/s zur Verfügung, außerdem WiFi 6E und Bluetooth 5.3.
Der Mediatek Dimensity 8200-Ultra ist eine speziell für Xiaomi angepasste Variante des ansonsten baugleichen Mediatek Dimensity 8200, die Verbesserungen am Kamera-ISP mitbringt. Ein Imagiq 785-Bildprozessor ist für die Verarbeitung der Kameradaten zuständig. Videoaufnahmen werden mit bis zu 4K bei 60 fps unterstützt. Der CPU-Teil des älteren Dimensity 8100 ist sehr ähnlich und bietet die selben CPU und GPU Kerne.
Die integrierte Grafikeinheit ARM Mali-G610 MC6 kann Displays mit einer Auflösung von bis zu 2.960 x 1.440 Pixeln (WQHD+) und einer Bildwiederholrate von bis zu 120 Hz befeuern. Bei Full HD+ sind sogar bis zu 180 Hz möglich.
Der Qualcomm Snapdragon 636 (SDM636) ist ein Mittelklasse SoC für (Android basierende) Smartphones und Tablets. Er integriert 8 Prozessorkerne der eigenen Kryo 260 Architektur (64-Bit fähig). Qualcomm spricht von einer 40% höheren Performance im Vergleich zum Snapdragon 630 (8x Cortex-A53).
Das integrierte X12 LTE Modem unterstützt 4G mit bis zu 600 Mbps Download und 150 Mbps Upload. Weiters ist eine Adreno 509 Grafikkarte integriert mit Support für Vulkan und OpenGL ES 3.1. WLAN wir 802.11ac unterstützt und Bluetooth in der Version 5.0. Der Speicherkontroller unterstützt LPDDR4 mit 1333 MHz (Dual-Channel LPDDR4-2666).
Dank des modernen 14nm FinFET Herstellungsverfahrens, ist der SoC relativ genügsam und wahrscheinlich auch für kleinere Smartphones geeignet.
Average Benchmarks Qualcomm Snapdragon 660 → 100%n=9
Average Benchmarks MediaTek Dimensity 8200-Ultra → 277%n=9
Average Benchmarks Qualcomm Snapdragon 636 → 87%n=9
- Bereich der Benchmarkergebnisse für diese Grafikkarte - Durchschnittliche Benchmarkergebnisse für diese Grafikkarte * Smaller numbers mean a higher performance 1 This benchmark is not used for the average calculation
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