Qualcomm Snapdragon 636 vs Qualcomm Snapdragon 6s 4G Gen 1

Qualcomm Snapdragon 636

Der Qualcomm Snapdragon 636 (SDM636) ist ein Mittelklasse SoC für (Android basierende) Smartphones und Tablets. Er integriert 8 Prozessorkerne der eigenen Kryo 260 Architektur (64-Bit fähig). Qualcomm spricht von einer 40% höheren Performance im Vergleich zum Snapdragon 630 (8x Cortex-A53).

Das integrierte X12 LTE Modem unterstützt 4G mit bis zu 600 Mbps Download und 150 Mbps Upload. Weiters ist eine Adreno 509 Grafikkarte integriert mit Support für Vulkan und OpenGL ES 3.1. WLAN wir 802.11ac unterstützt und Bluetooth in der Version 5.0. Der Speicherkontroller unterstützt LPDDR4 mit 1333 MHz (Dual-Channel LPDDR4-2666).

Dank des modernen 14nm FinFET Herstellungsverfahrens, ist der SoC relativ genügsam und wahrscheinlich auch für kleinere Smartphones geeignet.

Qualcomm Snapdragon 6s 4G Gen 1

Der Qualcomm Snapdragon 6s 4G Gen 1 ist ein umbenannter Snapdragon 662 SoC der unteren Mittelklasse für (Android basierende) Smartphones und Tablets. Die Prozessoreinheit beinhaltet 8 Kryo-260-CPU-Kerne (4x ARM Cortex-A73 mit bis zu 2,1 GHz und 4x ARM Cortex-A53 mit bis zu 1,8 GHz). Als Grafikeinheit kommt die Qualcomm Adreno 610 zum Einsatz

Das SoC kommt mit der dritten Generation von Qualcomms AI Engine und beinhaltet auch Bluetooth 5.1. Interessant ist, dass Qualcomm die WLAN-Fähigkeit als "WiFi-6-ready" bezeichnet, man kann sich also mit einem WiFi-6-Netzwerk verbinden, es werden aber wohl nicht alle Teile des Standards unterstützt. Das neue Sicherheitsprotokoll WPS3 ist nutzbar. Neu sind auch die Unterstützung für das Bild-Dateiformat HEIF und das indische Satellitennetzwerk NavIC.

Als LTE-Modem ist das Snapdragon X11 integriert, das im Uplink und Downlink LTE Cat.13 unterstützt, sowie 2x2 MIMO im Downlink. Die maximale Übertragungsgeschwindigkeit beträgt 390 MBit/s (Download) und 150 MBit/s (Upload).

In Sachen Massenspeicher wird maximal UFS 2.1 unterstützt, die Begrenzungen des Arbeitsspeicher liegen bei 32 GB und LP4x.

Das SoC wird im 11-nm-Verfahren hergestellt.