Der Mediatek Helio P22 MT6762 ist ein in 2018 vorgestellter Mittelklasse Octacore für Android basierte Smartphones und Tablets. Er integriert 8 ARM Cortex-A53 Kerne in zwei Clustern. Die vier Kerne im Performance Cluster mit bis zu 2 GHz. Die Cores können dank Heterogeneous Multi-Processing bzw. big.LITTLE auch alle gemeinsam genutzt werden. Die integrierte Grafikkarte ist eine PowerVR GE8320 welche mit 650 MHz getaktet wird. Der Dual-Channel-Speichercontroller unterstützt LPDDR3-1688 bzw LPDDR4X-3200 (max. 6 GB). Drahtlose Technologien werden LTE Cat-7 DL / Cat-13 UL (Dual SIM) und 802.11a/b/g/n WLAN unterstützt. Der Festspeicher kann mit eMMC 5.1 angeschlossen werden. Die integrierte Videoengine unterstützt Encoding und Wiedergabe von H.264 und die Wiedergabe von H.265/HEVC.
Der Qualcomm Snapdragon 435 (SD435) ist ein unterer Mittelklasse SoC für (Android basierende) Smartphones und Tablets. Er wird im Gegensatz zum Snapdragon 630 noch in 28 nm gefertigt und bietet ebenfalls einen ARM Cortex-A53 Octa-Core Prozessorteil. Dieser ist jedoch nur mit bis zu 1,4 GHz getaktet. Das Integrierte X9 LTE Modem unterstützt Cat. 7 und dadurch maximal 300 Mbps Download und 100 Mbps Upload. Weiters ist eine Adreno 505 Grafikkarte integriert mit Support für Vulkan und OpenGL ES 3.1. WLAN wir 802.11ac unterstützt und Bluetooth in der Version 4.1. Der Speicherkontroller unterstützt LPDDR3 mit 800 MHz (daher wahrscheinlich Dual-Channel DDRL-1600).
Der MediaTek Helio A20, auch als MediaTek MT6761D bezeichnet, ist ein günstiges SoC für Android-Smartphones und -tablets der Einsteiger-Klasse. Das SoC besitzt 4 Cortex-A53-Kerne mit bis zu 1,8 GHz Takt.
Der Helio A20 beherrscht grundlegende KI-Fähigkeiten wie Gesichtserkennung oder ein smartes Fotoalbum.
Als Grafikchip kommt ein PowerVR GE8300 zum Einsatz, der Speichercontroller unterstützt LPDDR4X (max 1200 MHz und 4 GB).
Das integrierte LTE-Modem unterstützt 4G mit bis zu 150 Mbps Download und 50 Mbps Upload. Bluetooth 5.0 und die WLAN-Standards bis WiFi 5 werden unterstützt.
Das SoC wird im 12nm-FinFET-Herstellungsverfahrens produziert.
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